类别 功率 MOSFET
长度 10.67mm
典型输入电容值@Vds 9250 pF @ 50 V
通道模式 增强
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 0.0028 Ω
最高工作温度 +175 °C
通道类型 N
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 375 W
最大栅源电压 ±20 V
宽度 9.65mm
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
正向二极管电压 1.1V
最大漏源电压 100 V
典型接通延迟时间 13 ns
典型关断延迟时间 32 ns
封装类型 DDPAK，TO-263
最大连续漏极电流 272 A
引脚数目 3
正向跨导 329s
晶体管配置 单
典型栅极电荷@Vgs 118 nC @ 0 V
工厂包装数量 50
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
晶体管极性 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.1 V
宽度 10.26
Qg - Gate Charge 118 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
下降时间 6 ns
安装风格 SMD/SMT
品牌 Texas Instruments
通道数 1 Channel
商品名 NexFET
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
晶体管类型 1 N-Channel
正向跨导 - 闵 329 S
Id - Continuous Drain Current 200 A
长度 9.25 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 2.8 mOhms
RoHS RoHS Compliant By Exemption
典型关闭延迟时间 32 ns
通道模式 Enhancement
系列 CSD19536KTT
身高 4.7 mm
封装 Reel
典型导通延迟时间 13 ns
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 375 W
上升时间 8 ns
技术 Si
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