PD - 94954IRF3710PbFHEXFET®功率MOSFETlllllll先进的工艺技术超低导通电阻动态的dv / dt额定值175 ° C工作温度快速开关全额定雪崩LEAD -FREEDVDSS= 100VRDS （ ON）= 23mΩGSID= 57A描述先进的HEXFET®国际整流器功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET是众所周知为，为设计者提供了一个非常有效和可靠的设备在各种各样的应用中使用。在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业应用在功率耗散水平到约50瓦。低热电阻及TO -220的低包成本有助于其宽接受整个行业。TO-220AB绝对最大额定值参数
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2025-8-5 16:50:00
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