Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 27.5A, 10V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Package / Case TO-220-3
深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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