一般信息
数据列表 AO4852;
SO8 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列 -
规格
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 90 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 30V
功率 - 最大值 1.4W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
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