一般信息
数据列表 AO4494;
SO8 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 18A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
深圳市顺德利科技有限公司 0755-82725660 17748677872(微信75056055) QQ:782954141