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晶体管 MOSFET ON NTS2101PT1G

2025-8-13 16:06:00
  • MOSFET -8V -1.4A P-Channel

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-323-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 8 V

Id-连续漏极电流: - 1.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: - 0.45 V

Vgs - 栅极-源极电压: - 4.5 V

Qg-栅极电荷: 6.4 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 290 mW

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.85 mm

长度: 2.1 mm

产品: MOSFET Small Signal

系列: NTS2101P

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET

宽度: 1.24 mm

商标: ON Semiconductor

下降时间: 18 ns

上升时间: 15 ns

工厂包装数量: 3000

典型关闭延迟时间: 26 ns

典型接通延迟时间: 6.2 ns

单位重量: 5 mg