制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 34 A
Rds On-漏源导通电阻: 27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 136 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power Transistor
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 28 S
下降时间: 4 ns
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
零件号别名: IPD320N20N3GBTMA1 SP001127832
单位重量: 4 g
