制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 117 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
系列: STP75NF75FP
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 30 ns
上升时间: 100 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 66 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 2 g
