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分立半导体 晶体管 MOSFET ON Semiconductor FQB33N10TM

2025-8-9 8:31:00
  • MOSFET 100V N-Channel QFET

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 33 A

Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 25 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 3.75 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 4.83 mm

长度: 10.67 mm

系列: FQB33N10

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

宽度: 9.65 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值: 22 S

下降时间: 110 ns

上升时间: 195 ns

工厂包装数量: 800

典型关闭延迟时间: 80 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

单位重量: 1.312 g