制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 20 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 385 mOhms
技术: Si
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-975B-3
封装: Tube
配置: Single
高度: 4.62 mm
长度: 20.45 mm
类型: RF Power MOSFET
宽度: 10.29 mm
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
工厂包装数量: 20
Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V, 13 V
零件号别名: BLF6G27-45,112
