封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Dual, Dual Drain
外形尺寸 5 x 4 x 1.5mm
身高 1.5mm
长度 5mm
最大漏源电阻 0.03 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 2 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOIC N
典型栅极电荷@ VGS 6.2 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS 650 pF V @ 10
宽度 4mm
漏极电流（最大值） 6.5 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） �10 V
输出功率（最大） Not Required W
功率耗散 2 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.03 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 2
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 6.5 A
晶体管极性 :Dual N Channel
主营集成芯片二三极管，专业工厂配单 配套范围:集成电路ic 二三极管 电容电阻电感 晶振 LED 万用板 排针 排母 连接器接插件 XH、VH、PH系列 微动开关按键开关 FPC软排线 DC插座 USB 杜邦线等电子元件物料
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