IRF6718L2 在大型罐装 DirectFET 封装中采用了 Infineon Technologies 的最新一代硅晶技术，从而在比 D2PAK 封装的基底面小 60%，厚度小 85% 的封装内实现了 10 V VGS 下仅为 0.5 mΩ 的极低 RDS(ON)。该器件显著降低了与 O-ring 或者热插拔应用中通道元件相关的导通损耗，并允许双侧冷却，以最大限度提高电源系统中的热传输性能，进而大幅提升整个系统的能效。
特性如下：
超低封装电感
极低的 RDS(ON)，可降导通损耗
兼容现有的表面贴装技术
针对有源 O-ring / eFUSE 应用进行了优化
兼容双侧冷却
应用如下：
Infineon Technologies 的首个采用大型罐状 DirectFET 封装的器件具有远低于竞争器件的 RDS(ON)，实现了出色的能效和卓越的热性能，适用于高密度 DC-DC 应用，如基底面小于 D2PAK 的服务器。
相比现有解决方案，在给定功耗下所需的零件少，因此可减少板空间和系统总成本。
为 eFUSE 和热插拔电路提供了更高的安全工作区 (SOA) 能力
