LFPAK33 器件显著降低了电阻，可应对不断增长的行业压力，那就是在继续提升能效和可靠性的同时，减小车辆中的模块尺寸。LFPAK33 MOSFET 可实现电源基础架构，让如雷达和 ADAS 技术等下一代汽车子系统可靠、高效地工作。
Nexperia LFPAK33 封装采用铜片设计，以减少封装电阻和电感，进而减小 RDS (on) 和 MOSFET 损耗。因此，这种封装具有 10.9 mm2 的超紧凑基底面，并且，因为未使用内部导线或胶粘剂，工作温度可高达 175°C Tj （最高）。器件的电流处理能力 70 A，这一产品组合品种丰富，电压在 30 V 至 100 V 之间，RDS (on) 低至 6.3 mΩ。
特性与应用如下:
符合 AEC-Q101 标准
超紧凑基底面：10.9 mm2
超薄：厚度 < 1 mm
封装：比 DPAK 小 80%
超低封装电阻
40 V 时 6.3 mΩ
每个器件的电流高达 70 A
高瞬态下性能稳定可靠
达到 +175°C 温度级，适用于各种热要求苛刻的环境
电动助力转向系统
发动机管理
集成起动器发电机
变速箱控制
汽车照明
制动 (ABS)
气候控制
