SI7758DP-T1-GE3 资料
数据列表 SI7758DP;
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 SkyFET?，TrenchFET?
库存6400
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7150pF @ 15V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 6.25W（Ta），104W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK? SO-8
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
