IRF7480MTRPBF 分立半导体产品 晶体管
产品分类
分立半导体产品
晶体管
系列
HEXFET®，StrongIRFET™
包装
剪切带（CT） ,带卷（TR）
零件状态
在售
FET类型
N沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）
40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）
217A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）
6V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）
3.9V@150µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
185nC@10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）
6680pF@25V
Vgs（最大值）
±20V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）
1.2毫欧@132A，10V
工作温度
-55°C~150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
DirectFET™IsometricME
封装/外壳
DirectFET™IsometricME
