S9S08QD4J1MSC 资料
数据列表 MC9S08QD2
生产商 FREESCALE
批号 201613
标准包装 98
包装 管件
类别 集成电路（IC）
产品族 嵌入式 - 微控制器
库存 6800
核心处理器 S08
核心尺寸 8-位
速度 16MHz
连接性 -
外设 LVD，POR，PWM，WDT
I/O 数 4
程序存储容量 4KB（4K x 8）
程序存储器类型 闪存
EEPROM 容量 -
RAM 容量 256 x 8
电压 - 电源（Vcc/Vdd） 2.7 V ~ 5.5 V
数据转换器 A/D 4x10b
振荡器类型 内部
工作温度 -40°C ~ 125°C（TA）
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
美光科技于今日在总部举办活动，庆祝扩建的新厂投入运转。这一工厂在公司研究未来具有突破
性的全新内存和存储技术的过程中将扮演重要角色。在新设施配备完善后，美光在博伊西的研发
专用无尘室的空间将增加近一倍，并将为公司整体研发能力的扩展提供重要支持。
这座位于博伊西的扩建研发厂对于美光开发新的半导体制造工艺和设计，满足该公司未来的存储
和内存技术需求至关重要。在博伊西研发中心研发出的各种工艺随后会转至美光位于全球的 12
个大型制造工厂进行量产。
为纪念这一重要时刻，美光科技总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra和技术开发执行副总裁
Scott DeBoer带领公众代表和政要参观了新工厂。
“打造世界上最先进的半导体是一个非常复杂的过程。”Mehrotra说，“我们在爱达荷州有一支
行业顶尖的科学家和工程师团队，他们所做的工作将会帮助塑造未来的技术、产品和解决方案，
包括未来的手机、汽车和数据中心，并推动正在快速崛起的人工智能和大数据分析等新兴技术。
今天，博伊西研发无尘室的落成标志着我们在博伊西的创新能力将得到大幅提升。”
该新的无尘工厂于2015年10月动工，旨在打造一个更大规模的无污染、可精确控制的研发环境，
利用美光科技多年来的精深技术专长和创新能力，开发和制造先进的存储集成电路。建造该工厂
需要24000 立方码的混凝土，相当于让一辆混凝土车连续不间断地工作100天。这座先进的研
发中心还使用了1000万磅钢筋，光是建筑物内就铺设了240英里长的线缆，这一长度足以连接
到国际空间站。
博伊西的研发厂处于美光全球创新网络的核心位置，本次规模扩张将有助于加快新一代DRAM、
NAND和新兴内存技术的开发速度。
DeBoer特别指出，美光的尖端DRAM 技术(1Ynm)已经从博伊西的研发中心转入美光位于日本广
岛的制造工厂。在过去一年里，研发团队还在博伊西成功完成了64层 3D NAND的开发过程，并
将该技术从最初在博伊西的开发转入了美光在新加坡的工厂实现量产。
作为美光的全球技术开发中心，博伊西的研发厂正引领着诸如未来的DRAM、3D XPoint™和3D
NAND 等新一代技术的开发。
