MA153A-(TX) 资料
数据列表 MA3X153(A)
生产商 PANASONIC
批号 201615
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 二极管 - 整流器 - 阵列
库存 15200
二极管配置 1 对串联
二极管类型 标准
电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 100mA（DC）
不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 100mA
速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 75V
工作温度 - 结 150°C（最大）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 迷你型3-G1
全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出业
内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW)，比目前
市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS，突破了半导体
射频功率放大器的极限，使之成为在高功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。
这款晶体管简单易用，极大方便了微波发生器设计人员。与真空管时代的技术(如磁控管)相比，
MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF13750H支持在0至750W的全动态范围
内进行精确的功率控制，并可实现频移，有助于精确地使用射频能量。而且，MRF13750H的性
能随时间推移下降很小，能够运行数十年，降低了总拥有成本。MRF13750H的工作电压为50V，
比磁控管更安全。另外，固态功率放大器尺寸小，有助于实现设计冗余和灵活性。
恩智浦市场射频功率工业技术高级总监兼总经理Pierre Piel表示：“长期以来，半导体器件的可靠
性和优异的控制特性早已得到认同，但是工业系统设计人员难以组合多个晶体管来匹配磁控管的
功率水平。现在凭借MRF13750H的优异性能，工业加热工程师能在非常高功率的系统中使用这
种晶体管。”
射频能量联盟执行董事Klaus Werner表示：“鉴于固态射频能量作为高效可控的热源和功率源具
有诸多优势，射频能量联盟(RFEA)认为该技术有着不可估量的市场机会，不仅能够改善现有的射
频能量应用，而且有助于开发新的能量应用。新产品MRF13750H的强大性能无疑将加速行业向
固态射频技术的转型。”
这款新晶体管专为工业、科学和医疗(ISM)应用而设计，范围从700MHz至1300MHz，特别适
合工业加热/干燥、固化和材料焊接及颗粒加速器应用。MRF13750H在915MHz时可提供750W
CW，效率为67%，封装为3×3.8英寸(7.6×9.7厘米)小封装。
