SSM6L39TU 资料
数据列表 SSM6L39TU
生产商 TOSHIBA
批号 17+
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 143毫欧 @ 600MA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 268pF @ 10V
功率 - 最大值 500mW
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SMD，扁平引线
供应商器件封装 UF6
库存 26000
