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类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 RUF020N02TL-ND
RUF020N02TLTR
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 10V
Vgs（最大值） ±10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 320mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 2A，4.5V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TUMT3
封装/外壳 3-SMD，扁平引线
