FQD19N10 FAIRCHILD TO252 N沟道 MOS管 100V 15.6A
制造商： Fairchild Semiconductor 最小包装量： 2000PCS
封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 包装： Tape & Reel (TR)
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
参数 数值
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
功率 - 最大值 2.5W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 870pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 18nC @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 mOhm @ 7.8A, 10V
FET 功能 Logic Level Gate
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 100V
一般信息
数据列表 D-PAK Tape and Reel Data;
FQD19N10L, FQU19N10L;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 QFET®
其它名称 FQD19N10LTM-ND
FQD19N10LTMTR
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 7.8A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
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