HN1A01FU-GR资料
数据列表 HN1A01FU;
标准包装 1
包装 剪切带（CT）
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
系列 -
其它名称 HN1A01FU-GRLFCT
HN1A01FUGRLFTCT
HN1A01FUGRLFTCT-ND
晶体管类型 2 PNP（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值 200mW
频率 - 跃迁 80MHz
工作温度 125°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 US6
