FQD11P06TF P沟道 MOS管 TO252 60V 9.4A FAIRCHILD
制造商： Fairchild Semiconductor 最小包装量： 2000PCS
封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 包装： Tape & Reel (TR)
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
参数 数值
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
功率 - 最大值 2.5W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 550pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 17nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 185 mOhm @ 4.7A, 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 60V
一般信息
数据列表 D-PAK Tape and Reel Data;
FQD11P06, FQU11P06;
标准包装 2,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 QFET®
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 550pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），38W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 185 毫欧 @ 4.7A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
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