STB30NM60N 600V25A TO263 N沟道 MOS管 ST意法 晶体管
制造商： STMicroelectronics 最小包装量： 1000PCS
封装： D2PAK 包装： Tape&Reel
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： STx30NM60ND Series 600 V 130 mOhm N-Channel FDmesh?II Power MOSFET - D2PAK
参数 数值
功率 - 最大值 190W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2800pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 100nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 130 mOhm @ 12.5A, 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 25A (Tc)
漏源极电压 (Vdss) 600V
一般信息
数据列表 STx30NM60N;
标准包装 1,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 MDmesh™ II
其它名称 497-8474-2
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 91nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 50V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 190W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 130 毫欧 @ 12.5A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
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