FDD3580 TO252 N沟道 MOS管 FAIRCHILD 80V 7.7A
制造商： Fairchild Semiconductor 最小包装量： 2500PCS
封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 包装： Tape & Reel (TR)
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK
参数 数值
系列 PowerTrench®
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
功率 - 最大值 1.6W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1760pF @ 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 49nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 29 mOhm @ 7.7A, 10V
FET 功能 Logic Level Gate
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 80V
一般信息
数据列表 FDD3580, FDU3580;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 PowerTrench®
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.7A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1760pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），42W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 7.7A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-PAK（TO-252AA）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
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