2017年6月21日,全球最新来自英特尔（Altera）MAX 10 FPGA全新升级产品如下：
产品图片：现货拍摄如（附件)
10M02DCU324C8G
10M02SCU169C8G
10M02SCE144I7G
10M02SCM153C8G
10M02SCU169I7G
10M02SCU169I7G
10M02DCV36C8G
10M02DCV36C8G
10M02SCE144A7G
10M02SCU169A7G
10M02DCV36I7G
10M02SCM153I7G
10M02DCU324I7G
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10M02SCE144C8G
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10M04SCE144A7G
10M04DAF256I7G
10M04SCE144I7G
10M04DCF256I7G
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10M04SCM153C8G
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10M08SCE144C8G
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10M08DAF256C7G
10M08DFV81I7G
10M08DFV81I7G
10M08DAF256C8G
10M08DAF256C8G
10M08SAU169C8G
10M08DAU324C8G
10M16SAE144I7G
10M16SAU169C8G
10M16SCE144C8G
10M16DCF256C7G
10M16SAU169I7G
10M16SCE144I7G
10M16DAF256I7G
10M16DAU324C8G
10M16DAF484C8G
10M16DAF484I7G
10M16DCU324C8G
10M16DCF256C8G
10M25SCE144C8G
10M25DAF256I7G
10M25DCF484C7G
10M25SAE144C8G
10M25SCE144I7G
10M40DAF256C8G
10M40DCF672C8G
10M40DAF484I7G
10M40DAF484C8G
10M40SCE144C8G
10M40DCF484C8G
10M40DCF484C8G
10M50SAE144C8G
10M50SCE144C8G
10M50DAF484C8G
10M50DCF256C8G
10M50SCE144I7G
10M50DAF484C7G
10M50DCF256C7G
10M50DCF672C8G
10M50DAF256I7G
10M50DCF484C8G
10M50DAF256C7G
新品描述如下：
英特尔MAX 10 FPGA在低成本、单芯片小外形封装可编程逻辑器件中实现了先进的处理功能，是革命性的非易失集成器件。继承了前一代MAX器件系列的单芯片特性，使用单核或者双核电压供电，其密度范围在2K至50KLE之间。MAX 10 FPGA系列提供先进的小圆晶片级封装(3mm x 3mm)，以及有大量I/O引脚封装的产品。
MAX 10 FPGA采用TSMC的55 nm嵌入式NOR闪存技术制造，支持瞬时接通功能。其集成功能包括模数转换器(ADC)和双配置闪存，支持您在一个芯片上存储两个镜像，在镜像间动态切换。与CPLD不同，MAX 10 FPGA还包括全功能FPGA功能，例如，Nios? II软核嵌入式处理器支持、数字信号处理(DSP)模块和软核DDR3存储控制器等。
您可以虚拟浏览MAX 10 FPGA内部，了解管芯闪存的双配置特性，以及真正的失效安全更新等优点(1:32)
MAX 10 FPGA提高了系统组件功能的集成度，从而降低了系统级成本：
双配置闪存——一个管芯闪存支持双配置，实现数千次重新编程真正的失效安全更新。
模拟模块——集成模拟模块和ADC以及温度传感器，非常灵活的采样排序功能，缩短了延时，减小了电路板面积。
瞬时接通——MAX 10 FPGA是系统电路板上第一个开始工作的器件，控制高密度FPGA、ASIC、ASSP和处理器等其他组件的启动。
Nios II软核嵌入式处理器——MAX 10 FPGA支持Altera软核Nios II嵌入式处理器的集成，为嵌入式开发人员提供了单芯片、完全可配置的瞬时接通处理器子系统。
DSP模块——作为第一款非易失具有DSP的FPGA，MAX 10 FPGA非常适合使用集成18x18乘法器的高性能、高精度应用。
DDR3外部存储器接口——MAX 10 FPGA通过软核知识产权(IP)存储控制器支持DDR3 SDRAM和LPDDR2接口，适合视频、数据通路和嵌入式应用。
用户闪存——具有736 KB管芯用户闪存代码存储功能，MAX 10 FPGA支持先进的单芯片Nios II嵌入式应用。用户闪存容量取决于配置选择。
产品特性如下：
英特尔MAX 10 FPGA 提高了外部系统组件功能的集成度，从而降低了系统级成本。与 CPLD 不同，55 nm MAX 10 FPGA 包括了全功能 FPGA 的功能，例如，数字信号处理 (DSP)、具有模数转换器 (ADC) 的模拟模块，支持温度传感器和嵌入式软核处理器，还有存储控制器和双配置闪存等。
MAX 10 体系结构
50,000 个逻辑单元 (LE)
500 个 I/O 管脚
非易失、瞬时接通体系结构
单芯片
封装只有 3x3 mm2
嵌入式 SRAM
DSP 模块
高性能锁相环 (PLL) 和低偏移全局时钟
外部存储器接口 (DDR3 SDRAM/DDR3L SDRAM/DDR2 SDRAM/LPDDR2)
Nios II 软核嵌入式处理器支持
3.3 V、LVDS、PCITM 和 30多个其他 I/O 标准支持
嵌入式 SAR ADCs – 12 位，1 MspsA
18 路模拟输入通道
温度传感器
单核或者双核电压供电
嵌入式闪存
双配置闪存
用户闪存
内部振荡器
低功耗特性
休眠模式，动态功耗降低了 95%
输入缓冲关断
128 位高级加密标准 (AES) 和其他设计安全特性
RoHS6 封装
产品特性表 MAX 10 FPGA 体系结构和特性
注明：
用户闪存取决于配置选择。
可以使用的PLL数量取决于封装选择。
数字表示ADC模块和温度检测二极管(TSD)。ADC/TSD与封装类型有关。引脚数量更少的封装不必使用ADC硬核IP。
仅SRAM。
SRAM、DDR3 SDRAM、DDR2 SDRAM，或者LPDDR2。
“D” = 双路电源供电(1.2V/2.5V)，“S” = 单路电源供电(3.3 V或者3.0 V)。
“简单PCB”使用了0.8 mm PCB设计规则。
特性选择：C=紧凑(一个镜像)，F=闪存(双镜像，支持RSU)，A=模拟(模拟特性模块)。每一种都有额外的优势。
质检和认证。
MAX 10 FPGA 支持商用级、工业级和汽车级 (AEC-Q100) 温度范围。
此外，未来版本还将提供功能安全封装，以及通过了 IEC 61508 和 ISO 26262 的 TUV 认证，从而缩短了开发时间和产品面市时间。
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