制造商： AOS 最小包装量： 3000PCS
封装： 8-PowerVDFN 包装： Tape & Reel (TR)
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6
参数 数值
系列 -
封装/外壳 8-PowerVDFN
功率 - 最大值 2.3W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 6550pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 88nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.6 mOhm @ 20A, 10V
FET 功能 Logic Level Gate
FET 类型 MOSFET N-Channel, M
一般信息
数据列表 AON6240;
DFN5x6_8L_EP1_P Pkg Drawing;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 785-1334-2
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta），85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 88nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6550pF @ 20V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.3W（Ta），83W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-DFN（5x6）
封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴妙惠
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