制造商： AOS 最小包装量： 3000PCS
封装： DFN-8 包装： Tape&Reel
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFET N CH 30V 29A 8DFN
参数 数值
功率 - 最大值 6W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1550pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 33nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 5 mOhm @ 20A, 10V
FET 功能 Logic Level Gate
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 32A (Tc)
漏源极电压 (Vdss) 30V
一般信息
数据列表 AON6566;
DFN5x6_8L_EP1_P Pkg Drawing;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Ta），32A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1550pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 6W（Ta），25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-DFN（5x6）
封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线
联系方式：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴妙惠
电话：0755-23940365
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