产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 43 A
Rds On-漏源导通电阻: 18.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 3.5 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
Pd-功率耗散: 40 W
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 1275
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 9.8 ns
典型接通延迟时间: 7.1 ns
宽度: 6.22 mm
