FDB52N20的特征：
52A，200V，RDS（on）=0.049Ω@VGS = 10V
低栅极电荷（典型的49 nC）
低Crss（典型66 pF）
快速切换
100％雪崩测试
提高了dv / dt功能
FDB52N20的概述：
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
使用飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产。
这种先进的技术特别针对微型导通电阻，
提供卓越的开关性能，
并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
这些器件非常适合于高效开关电源和有源功率因数校正。
FDB52N20的应用：
PDP电视
灯光
不间断电源供应
AC-DC电源
FDB52N20的绝对最大额定值TC = 25°C，除非另有说明。
FDB52N20的一般信息
数据列表 FDB52N20;
标准包装 800
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 UniFET™
其它名称 FDB52N20TMTR
FDB52N20的规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 357W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 49 毫欧 @ 26A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴小姐
电话：0755-23940365
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