2017年7月10日。根据英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已达到转折点，考虑到成本效益，它已可用于不同应用。不过，为了让这一新的半导体技术成为可以依靠的革命性技术，需要英飞凌这样的合作伙伴。针对应用量身定制产品、我们的生产能力、对技术组合和系统的全面了解：这四大优势使我们成为功率半导体市场的领导者。依托英飞凌碳化硅产品组合，我们希望并且能够达成这一目标。”
全新1200 V碳化硅MOSFET已进行优化，同时具备高可靠性与性能优势。其动态功率损耗要比1200V硅（Si）IGBT低一个数量级。首批产品将主推光伏逆变器、不间断电源（UPS）和充电/储电系统等应用。不久的将来推出的新型号，也将为打造适用于工业变频器、医疗设备或铁路设备辅助电源的革命性解决方案创造条件。
1200 V SiC MOSEFT采用的沟槽栅技术的一大优势在于持久的坚固耐用性。这是由于其具备较低的工作时间失效（FIT）率和有效的短路能力，可适应不同的应用。得益于4 V的阈值电压（V th）和+15 V的推荐接通阈值（V GS ），这些晶体管能像IGBT一样得到控制，在发生故障时得以安全关闭。碳化硅MOSFET可以实现高速开关，另外，英飞凌碳化硅MOSFET技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度，因此，可以轻松优化EMC性能。
在去年，英飞凌就已推出主导产品EASY 1B（半桥/Booster）以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin产品。EASY 1B平台十分成熟，是实现快速开关器件的理想模块平台。在今年的PCIM展会上，英飞凌将展出基于1200 V SiC MOSFET技术的其他模块平台和拓扑。它们将逐步扩大CoolSiC MOSFET的性能范围。英飞凌展出的碳化硅模块包括：
产品特性说明：
采用B6（Six-Pack）拓扑的EASY 1B：该模块的特点是成熟的英飞凌模块配置，导通电阻(R DS(ON) ) 仅45 mΩ。集成的体二极管确保低损耗续流功能。该EASY 1B适用于传动、太阳能或焊接技术领域的应用。
采用半桥拓扑的EASY 2B：这个较大的EASY器件，其性能增强，每个开关的R DS(ON) 为8 mΩ。低电感模块概念是功率超过50 kW和快速开关应用的理想选择，比如太阳能逆变器、快速充电系统或不间断电源解决方案等。
采用半桥拓扑的62 mm：附加的半桥配置，具备更大功率，每个开关功能的R DS(ON) 为6 mΩ。该模块平台为中等功率范围系统实现低电感连接创造了条件。这一特性适合诸多应用，包括医疗设备或铁路设备的辅助电源等。由于有大量潜在应用，英飞凌预计该模块将迅速普及。
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