产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Id-连续漏极电流: 3.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 19 ns
正向跨导 - 最小值: 4 S
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
Pd-功率耗散: 125 W
上升时间: 7.7 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 51.5 ns
典型接通延迟时间: 22.5 ns
宽度: 4.6 mm
单位重量: 1.438 g
