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ATP112-TL-H

2017-3-14 9:36:00
  • 深圳市鑫欧美电子有限公司,0755-82708963张小姐

产品种类: MOSFET

制造商: ON Semiconductor

RoHS: 符合RoHS 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: ATPAK-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 60 V

Id-连续漏极电流: - 25 A

Rds On-漏源导通电阻: 43 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 33.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

封装: Reel

商标: ON Semiconductor

配置: Single

下降时间: 120 ns

正向跨导 - 最小值: 24 S

Pd-功率耗散: 40 W

上升时间: 80 ns

系列: ATP112

工厂包装数量: 3000

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 150 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

单位重量: 4 g