全新原装，公司现货销售
品牌：IR
封装：TO263
数量：8500pcs
参数：FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 170W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 42A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
