FET 类型： P 沟道
技术 ： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 270pF @ 25V
Vgs（最大值）: ±20V
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 500 毫欧 @ 3.1A，10V
工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ）
安装: 表面贴装
封装: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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