产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 55 V
Id-连续漏极电流: - 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 175 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 12.7 nC
最小工作温度: - 55 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 37 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
Pd-功率耗散: 38 W
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 75
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 4 g
