产品种类: MOSFET
制造商: Toshiba
技术: Si
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 330 mOhms
商标: Toshiba
系列: 2SK4107
晶体管类型: 1 N-Channel
2SK4107(F,T)
2018-8-30 11:19:00
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