产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 45 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
高度: 9.83 mm
长度: 10.65 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 37.5 W
上升时间: 10 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 500
商标名: OptiMOS
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
宽度: 4.85 mm
零件号别名: IPA086N10N3GXK IPA086N10N3GXKSA1 SP000485984
单位重量: 6 g
