产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 43 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 93 nC
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 最小值: 45 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 39 W
上升时间: 25 ns
系列: XPA075N15
工厂包装数量: 500
商标名: OptiMOS
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
零件号别名: G IPA075N15N3 IPA075N15N3GXK SP000607018
单位重量: 6 g