产品种类: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 12.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
最大工作温度: + 175 C
封装: Bulk
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 6.8 S
高度: 9.4 mm
长度: 10.1 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 65 W
上升时间: 55 ns
系列: FQP13N10
工厂包装数量: 1000
商标名: QFET
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: FQP13N10_NL
单位重量: 1.800 g
