特点和优点
较高的工作功率，由于低
热阻
低传导损耗，由于低
通态电阻
适用于高频
由于快速开关应用
特点
DC至DC转换器
开关式电源
产品类别：MOSFET
技术：硅
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
通道数：1路
晶体管极性：N沟道
VDS - 漏源击穿电压：150V，
ID - 漏极连续电流：55.5
RDS（ON） - 漏源电阻：30毫欧
VGS - 栅源电压：20 V
最大工作温度：+175℃
通道模式：增强
配置：单
下降时间76纳秒
身高：9.4毫米
长度：10.3毫米
最小工作温度： - 55 C
钯 - 功耗：250瓦特
上升时间：71纳秒
工厂包装数量：50
晶体管类型：1 N沟道
典型关闭延迟时间：97纳秒
典型的开启延迟时间：18纳秒
宽度：4.7毫米
零件号别名：PSMN030-150P，127
单位重量：0.211644盎司
优势供应
SiC肖特基二极管：更高开关频率，更高效率，更高可靠性，简化系统设计。
SiC MOSFET：更高效率，优异的散热性能，更小体积，降低系统整体成本。
SiC MOSFET 模块：兼容常见IGBT模块，效率高达99%，开发更简单，降低系统成本。
