MT41K512M8RH-125IT:E

描述

DDR3L SDRAM（ 1.35V ）是一个低电压版本DDR3 SDRAM （ 1.5V ） 。

• TC0° C至+ 95°C

- 64毫秒， 8192周期刷新在0 ° C至+ 85°C

- 为32ms ，在+ 85 ° C至+ 95°C

•自刷新温度（ SRT ）

•自动自刷新（ ASR ）

•写练级

•多用途寄存器

•输出驱动器校准

特点

• VDD= VDDQ= 1.35V (1.283–1.45V)

•向后兼容到VDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V

- 支持DDR3L设备落后的COM

兼容于1.5V的应用

•差分双向数据选通

• 8N位预取架构

•差分时钟输入（ CK ， CK ＃ ）

• 8个内部银行

•额定动片上端接（ ODT ）

数据，频闪和屏蔽信号

•可编程CAS （ READ ）延迟（ CL ）

•可编程Posted CAS附加延迟（ AL ）

•可编程CAS （写）延迟（ CWL ）

•修正了突发长度为8 （ BL ）和4爆裂斩（ BC）

（通过模式寄存器集[刘健] ）

•可选BC4或BL8上的即时（ OTF ）

•自刷新模式

选项

•配置

- 1千兆×4

- 512梅格×8

- 梅格256 ×16

• FBGA封装（无铅） - X4，X8

- 78球（ 10.5毫米x 12毫米） Rev. D的

- 78球（9毫米X 10.5毫米）修订版E，J

• FBGA封装（无铅） - X16

- 96球（ 10毫米x10 14毫米） Rev. D的

- 96球（9毫米X 14毫米）英文内容

•时间 - 周期时间

- 1.071ns @ CL = 13 （ DDR3-1866 ）

- 1.25ns @ CL = 11 （ DDR3-1600 ）

- 1.5ns @ CL = 9 （ DDR3-1333 ）

- 1.87ns @ CL = 7 （ DDR3-1066 ）

•工作温度

- 商用（0°C≤TC≤+95°C)

- 工业（ -40°C≤TC≤+95°C)

•修订

记号

1G4

512M8

256M16

RARHREHA

-107

-125

-15E

-187E

无IT