标准包装： 3,000
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： NexFET™
包装： 带卷 (TR)
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)： 12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 2.1A （Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 180 毫欧 @ 500mA， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 1.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 200pF @ 6V
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-XFDFN
供应商器件封装： 3-PICOSTAR
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