描述：
该IR2010是一款高功率，高电压，高速功率MOSFET和IGBT具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于音频驱动程序D类和DC-DC转换器的应用程序。逻辑输入与标准兼容的CMOS或LSTTL输出，下降到3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最小驱动器跨导。 DE-传播千红进行匹配，以简化在高频应用中使用。浮置沟道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧的配置化其工作频率高达200伏。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技nologies使坚固耐用的单片式结构。
特点：
•设计为引导操作浮动通道全面运行至200V耐负瞬态电压的dV / dt免疫
•栅极驱动电压范围为10〜 20V
•欠压锁定两个通道
•兼容3.3V逻辑独立的逻辑电源电压范围从3.3V到20V逻辑和电源接地± 5V偏置
•CMOS施密特触发与下拉输入
•关闭输入关闭两个通道
•匹配的传播延迟为两个通道
•同相输入输出
•也可用LEAD -FREE
应用：
•D类音频类放大器
•高功率DC -DC SMPS转换器
•其它高频应用
华为除了在芯片研发上的强大实力之外，其服务器业务已经位居国产四强，借助其强大的服务器业务的支持，华为海思的ARM架构服务器芯片将有望复制手机芯片业务的成功。
华为海思开发手机芯片经历了数年的挫折，其早在2005年就开发出了基带，2009年推出了K3处理器，不过表现不佳折翅；随后开发的K3V2出现GPU兼容和发热问题，随后的K3V3也传出发热问题，直到2014年才推出首款最完美的手机芯片麒麟920，眼下其高端芯片麒麟950虽然表现不如三星Exynos8890和高通的骁龙820，但是依然是业界一款出色的芯片，与联发科位于第二阵营。据IC insights的数据显示华为海思2015年位居全球芯片设计企业第六名。
华为海思取得的这些成绩与华为手机业务的支持分不开，在总裁任正非的领导下其坚持要开发自己的手机芯片，所以即使华为海思的K3V2表现不佳但是依然坚持采用自家的手机芯片，据了解即使是性能优异的麒麟920、麒麟950的整合度也难以与高通的QRD方案和联发科的turnkey方案相比，但是正是这种通过业务之间的互相支持让华为海思取得了今天的成绩。
在华为服务器业务是国内四大服务器品牌之一的强势支持下，有理由相信华为海思的服务器芯片业务也将会实现手机芯片业务的成功，并且这种做法符合了中国自身的发展需求，将获得政府的大力支持。
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