厂商： INTEL CORPORATION
功能：8M X 16 Flash 2.7V PROM, 75 ns, PBGA64
中文描述：8M×16的FLASH 2.7V胎膜早破,75纳秒,PBGA64
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规格参数
出厂包装说明 ESBGA-64
状态 已转移
包装形状 矩形
封装形式 栅阵列,超薄
表面贴装 是
终端形式 BALL
端子间距 1 mm
终端涂层 铅锡
终端位置 底部
功能数量 1
端子数 64
包主体材料 塑料/环氧树脂
温度等级 工业用
内存宽度 16
组织 8M X 16
存储密度 1.34E8 deg
操作模式 异步锁存
字数 8.39E6 Words
字数代码 8M
备用内存宽度 8
最大工作温度 85℃
最小工作温度 -40℃
电源电压 - 最大（Vsup） 3.6 V
电源电压最小值（Vsup） 2.7 V
电源电压标称值（Vsup） 3 V
记忆体IC型号 Flash 2.7V PROM
并行/串行 并行
访问时间 - 最大（TACC） 75 ns
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