厂商： SAMSUNG
功能：64M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
中文描述：64M×16 DDR DRAM,0.45纳秒,PBGA84
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规格参数
出厂包装说明 ROHS COMPLIANT, FBGA-84
状态 已终止
包装形状 矩形
封装形式 网格阵列,超薄,精细间距
表面贴装 是
终端形式 BALL
端子间距 0.8000 mm
终端位置 底部
功能数量 1
端子数 84
包主体材料 塑料/环氧树脂
温度等级 其他
内存宽度 16
组织 64M X 16
存储密度 1.07E9 deg
操作模式 同步
字数 6.71E7 Words
字数代码 64M
最大工作温度 95℃
最小工作温度 0.0℃
电源电压 - 最大（Vsup） 1.9 V
电源电压最小值（Vsup） 1.7 V
电源电压标称值（Vsup） 1.8 V
访问模式 Multi BANK PAGE Burst
记忆体IC型号 DDR DRAM
端口数 1
访问时间 - 最大（TRAC） 0.4500 ns
深圳市齐禾电子有限公司
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