制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 52 A
Rds On-漏源导通电阻: 66 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
技术: Si
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 400 W
上升时间: 22 ns
系列: IXTQ52N30
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
单位重量: 5.500 g
