概述：
这种P沟道1.8V指定MOSFET是一种坚固的门版本飞兆半导体先进的PowerTrench工艺。它已被优化电源管理应用程序与各种门的驱动电压（ 1.8V - 8V ） 。
特点：
•-13.5 A， -20 V
řDS （ ON）= 8.5毫欧@ VGS= –4.5 V
RDS （ ON）= 10.5毫欧@ VGS= –2.5 V
RDS （ ON）• 14毫欧@ VGS= –1.8 V
•开关速度快
•高性能沟道技术极低RDS （ ON）
•高的电流和功率处理能力
应用：
•电源管理
•负荷开关
•电池保护
