KH25L3206EM2I-12G
特点
8M - BIT [X 1 / X 2 ] CMOS串行闪存
16M - BIT [X 1 / X 2 ] CMOS串行闪存
一般
•单电源工作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作
•串行外设接口兼容 - 模式0和模式3
•8M ： 8388608 ×1位结构或4194304 ×2位（双输出模式）结构
16M ： 16777216 ×1位结构或8388608 ×2位（双输出模式）结构
• 256平等部门，每个4K字节（ 8MB）
512平等部门与4K字节的每个（ 16兆）
- 任何部门可以单独擦除
• 16块平等与64K字节的每个（ 8MB）
32块平等与64K字节的每个（ 16兆）
- 任何块都可以单独擦除
•计划能力
- 字节基地
- 页面基（256个字节）
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
性能
•高性能
- 快速存取时间： 86MHz串行时钟
- 系列的双输出模式的时钟： 80MHz的
- 快速编程时间： 1.4ms之内（典型值）和5毫秒（最大值） /页
- 字节编程时间： 9US （典型值）
- 快速擦除时间： 60毫秒（典型值） /扇区; 0.7秒（典型值） /块
•低功耗
- 低有效的读电流： 16兆： 25毫安（最大值） ，在86MHz ;的8Mb ： 12毫安（最大值） ，在86MHz
- 低电平有效的编程电流： 20毫安（最大）
- 低电平有效擦除电流： 20毫安（最大）
- 低待机电流： 25uA （最大）
- 深度掉电模式5UA （典型值）
•典型10万次擦除/编程
•20年的数据保留
软件特点
·输入数据格式
- 1字节命令代码
•高级安全功能
- 块锁保护
该BP3 - BP0 （ 16兆） ; BP2 - BP0 （ 8MB）
状态位限定的区域的大小为软件防
编程和擦除指令
- 其他512位OTP保护的唯一标识符
•自动擦除和自动编程算法
-自动擦除，并在选定的行业数据验证
-自动程序和通过内部算法验证在所选页的数据，可自动倍
程序的脉冲宽度（在任何页面来进行编程，应先有在擦除状态页）
