NP82N04PUG-E1B-AY
2SK3483-ZK-E1-AZ
NP82N04PUG是N沟道MOS场效应
晶体管设计用于高电流开关应用。
特征
•通道温度175度评价
•超级低通态电阻RDS（ON）=3.5mΩ以下。 （VGS= 10V，ID =41 A）
•低西塞：西塞=6500 pF的TYP。
绝对最大额定值（TA= 25°C）
漏源极电压（VGS= 0V）VDSS40 V
门源电压（VDS=0V）VGS±20V
漏电流（DC）（TC= 25°C），ID（DC）±82
漏电流（脉冲）注1 ID（脉冲）±328
总功率耗散（TA = 25°C）PT11.8Wˉˉ
总功率耗散（TC= 25°C）PT2143Wˉˉ
沟道温度Tch175℃
贮存温度Tstg-55到+175℃，
重复性雪崩电流注2 IAR43条
重复性雪崩能量注2 EAR185兆焦耳
注意事项1. PW≤10微秒，占空比≤1％
2.总胆固醇≤150°C，VDD=20 V，RG= 25Ω，VGS =20→0 V
热阻
通道到外壳热阻的Rth（CH-C）1.05°C / W
通道到环境的热阻的Rth（CH-A）83.3°C / W
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