SIM3C144-B-GM代理SIM3C144-B-GM现货供应.
深圳市创芯弘科技有限公司
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制造商: Silicon Laboratories
产品种类: ARM微控制器 - MCU
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-40
核心: ARM Cortex M3
数据总线宽度: 32 bit
最大时钟频率: 80 MHz
程序存储器大小: 64 kB
数据 RAM 大小: 36 kB
工作电源电压: 1.8 V to 3.6 V
最大工作温度: + 85 C
处理器系列: SIM3C1xx
封装: Tray
商标: Silicon Labs
接口类型: 2 x I2C, I2S, 3 x SPI, 2 x USART, 2 x UART
最小工作温度: - 40 C
输入/输出端数量: 69 I/O
计时器/计数器数量: 6 Timer
系列: SIM3C144
工厂包装数量: 490
三星电子公司生产的面向PC和IT网络的存储器是业界首款10nm级8Gb DDR4 DRAM芯片。
它们能够在IT系统中实现最高的投资效率。三星电子公司存储器事业部总裁Young-Hyun Jun说，公司还将为移动制造商推出新一代高密度10nm级移动DRAM产品。
8Gb DDR4 DRAM将20nm 8Gb DDR4 DRAM的晶圆生产率提升了30%以上，支持3,200Mb/s数据传输速率，而其它20nm DDR4 DRAM的速率仅为2,400Mbps。
模块的功耗也比采用20nm工艺的竞争产品低10~20%，从而提高了新一代高性能计算（HPC）系统和其他大型企业网络以及用于PC和主流服务器市场的产品的设计效率。
关键技术发展包括改进了专有单元设计技术、QPT（四重曝光技术）光刻和超薄介电层沉积。
不同于一个单元仅包含1个晶体管的NAND闪存，每个DRAM单元都需要1个电容器和1个晶体管连接在一起，电容器通常被置于晶体管安装区域之上。
10nm级单元结构利用专有电路设计技术和四重曝光光刻技术开发而成。通过能够利用现有光刻设备的四重曝光，公司还为开发新一代10nm级DRAM打下了核心技术基础。
改进的介电层沉积技术还进一步提升了10nm级DRAM的性能这些新产品将参加2016第四届中国电子信息博览会的展览
2016第四届中国电子信息博览会(CITE 2016)将于2016年4月8日至10日在深圳会展中心举行。本届展会将吸引超过1700位展商，并将覆盖新一代信息技术发展和创业方面的热门话题，还将展示整条电子信息产业链。
在本届展会上，最令人期待的一款产品就是来自加州新能源汽车公司Faraday Future（法拉第未来）的首款电动概念车，而无人机(UAV)方面的市场领导者大疆创新(DJI)、Flypro（飞豹）和AEE也将集体亮相，让参观者能够就它们最新发布的无人机获得更具深度的体验。
本届展会的其它亮点还包括虚拟现实(VR)、增强现实(AR)、智能家电、锂电池和新能源汽车。此外，本届展会还将举办一个宣传人工智能机器人SIM3C144-B-GM发展成果的关键研讨会。
阿里巴巴、思必驰、乐视、TCL、海信、腾讯和百度等众多中国知名企业将会参加本届展会，这些知名企业将展示它们在物联网(IoT)、云计算、平板显示器、智能制造和智能家电等领域的最新产品和技术。
CITE组委会办公室秘书长陈雯海 先生表示：“CITE是中国电子信息行业的领先权威展会。举办这一展会的目的是要推广介绍具有创新精神的产品和技术，并建设一个进行展示和信息交流的平台，通过这个平台，我们能够让中国的电子信息行业走向世界，并刺激创造更多的商机。”
此外，2016第四届中国电子信息博览会还将举办一系列产品发布会、业界研讨会和论坛，让专家、企业家和政府官员齐聚一堂。
